محاسبه ی فرکانس تونل زنی در لیگاندهای بتا دی کت ایمینات
thesis
- وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه الزهراء - دانشکده علوم پایه
- author پروانه علی زاده
- adviser منصوره زاهدی تبریزی مینا غیاثی
- publication year 1392
abstract
در این پروژه، روش ساده و عملی جهت تعیین فرکانس تونل زنی پروتون در 2-آمینو-?-ایمینو?2?پنتن معرفی شده است. بدین منظور، تابع سطح انرژی پتانسیل دو بعدی، که شیوه ی کششی و خمشی درون صفحه ای nh را جفت می کند، برای ساختار هندسی ثابت در سطوح پایه ی b3lyp/6-31g**،b3lyp/6-311++g** ، b3lyp/cc-pvdz، b3lyp/cc-pvtz، mp2/6-31g** و mp2/6-311++g** محاسبه شده است. جهت محاسبه ی شکاف تونل زنی، فرکانس های کششی و خمشی درون صفحه ای nh، توابع پتانسیل حاصل در یک پتانسیل دو مینیممی دو بعدی متقارن گنجانیده و سپس ماتریس و هامیلتونی حاصل، قطبی شده است. شکاف تونل زنی، برای گونه های نرمال و دوتره ی ترکیب 2-آمینو-?-ایمینو-2-پنتن به ترتیب cm-1 7/2 و cm-1 1/0 به دست آمده است. ارتفاع سد انتقال پروتون برای سیستم پیوند هیدروژنی این ترکیب kj?mol 1/33 تخمین زده شده است
similar resources
بررسی قدرت پیوند هیدروژنی درون مولکولی در لیگندهای بتا دی کت ایمینات با محاسبات nbo
تمامی کنفورمر های ممکن مولکول 4-آمینو-2-ایمینو-3- پنتن توسط سطوح محاسباتی b3lyp و mp2 وبا استفاده از توابع پایه g**31-6 و g** 311-6++ ، cc-pvdzو cc-pvtzبرای تعیین پایدارترین کنفرمر بهینه شدند . محاسبه ی طیف ارتعاشی ir و جابه جایی شیمیایی nmr وآنالیز nbo توسط روش dft و سطح b3lyp و توابع پایه ی g**31-6 و g**311-6++ ، cc-pvdz , cc-pvtz ، aug-cc-pvdz برای پایدارترین کنفورمر انجام شده است. قدرت...
15 صفحه اولکاربرد یک تابع پتانسیل دوبعدی در محاسبه ی فرکانس تونل زنی تروپولون
در این پروژه، روشی ساده و عملی جهت تعیین فرکانس تونل زنی تروپولون معرفی شده است. بدین منظور، سطح انرژی پتانسیل دو بعدی که شیوه کششی و خمشی درون صفحه ای oh را جفت می کند، برای ساختار هندسی ثابت در سطوح پایه b3lyp/6-311g**، b3lyp/6-31g**، b3lyp/6-31g*، mp2/6-31g** وg96lyp/6-31g* محاسبه شده است. جهت محاسبه شکاف تونل زنی و فرکانس های کششی و خمشی درون صفحه ای oh، توابع پتانسیل حاصل در یک پتانسیل د...
15 صفحه اولمحاسبه جریان تونل زنی اکسید گیت در ماسفت های نانومتری
جریان تونل زنی اکسید گیت در ماسفت ها یکی از مهمترین عوامل در تحلیل و اندازه گیری پارامترهای این قطعات است. در رساله حاضر، ابتدا اثر جریان گیت در ترانزیستورهای ساخته شده در فناوری روز نیمه هادی بررسی شد و لزوم محاسبه آن ذکر شد. سپس با استفاده از مدلی جدید به محاسبه ی عرض چاه پتانسیل ایجاد شده در ناحیه ی وارونگی و همچنین تابع موج الکترون ها در واسط بین اکسید و نیمه هادی پرداخته شد. در نهایت به کم...
15 صفحه اولتونل زنی فوتونی در بلورهای فوتونیکی متا مواد تک منفی
در این مقاله ما تونل زنی فوتونی را از طریق ساختارFTIRبررسی میکنیم ساختارFTIRشامل بلورهای فوتونیکی مواد تک منفی یک بعدی است که بوسیله تکرار دوره ای و تناوبی از لایه هایو PIMNIM تشکیل شده است. ما یک دوره از لایه های مواد با ضریب شکست مثبت ومواد با ضریب شکست منفی را همانند یک ساختار در نظر می گیریم.وتونل زنی را برای این حالت بررسی میکنیم. سپس ما تغییرات بعد ازتونل زنی را بیشتر تحلیل می کنیم و زمان...
full textمحاسبه ضریب عبور تشدید تونل زنی از چند لایه های gaalas/gaas
در این مقاله نظریه تشدید تونلی در چند لایه های al(x)ga(1-x)as/gaas, بررسی شده است. طیف انرژیهای تشدید و وابستگی آن به ساختمان سد از روی منحنیهای عبور سد, برحسب انرژی و مشخصه جریان - ولتاژ در دمای مشخص و سطوح فرمی معین, آنالیز شده است. فرمالیزم حاضر براساس تقریب جرم موثر است و نتایج براساس محاسبات عددی مستقیم به دست آمده است. تا به حال توسط دیگران این محاسبات برای حالت 3 سد انجام شده است و در ای...
full textMy Resources
document type: thesis
وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه الزهراء - دانشکده علوم پایه
Hosted on Doprax cloud platform doprax.com
copyright © 2015-2023